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IRF8788TRPBF  与  BSO033N03MS G  区别

型号 IRF8788TRPBF BSO033N03MS G
唯样编号 A-IRF8788TRPBF A-BSO033N03MS G
制造商 Infineon Technologies Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述 Single N-Channel 30 V 2.5 W 44 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - SOIC-8
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.9mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 2.8mΩ@24A,10V 2.8mΩ
上升时间 - 12.8ns
Qg-栅极电荷 - 60nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 46S
封装/外壳 8-SO -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 24A 22A
配置 - Single
长度 - 4.9mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 14ns
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5720pF @ 15V -
高度 - 1.75mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 2.5W(Ta) 2.5W
典型关闭延迟时间 - 38ns
FET类型 N-Channel N-Channel
系列 HEXFET® OptiMOS3M
通道数量 - 1Channel
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.35V @ 100µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 5720pF @ 15V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 4.5V -
典型接通延迟时间 - 27ns
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 66nC @ 4.5V -
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
IRF8788TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V 2.5W(Ta) -55°C~150°C(TJ) 2.8mΩ@24A,10V N-Channel 30V 24A 8-SO

暂无价格 0 当前型号
BSO033N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO033N03MSGXUMA1_30V 22A 2.8mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSO033N03MSGXUMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSO033N03MS G_N 通道 8-SOIC(0.154"",3.90mm 宽) -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
AO4354_101 AOS 功率MOSFET

23A(Ta) N-Channel ±20V 3.7 mΩ @ 20A,10V 8-SOIC 3.1W(Ta) -55°C ~ 150°C(TJ) 30V

暂无价格 0 对比

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